Транзистор ONSEMI FDD6637 P-MOSFET, DPAK, 57 Вт, 10 шт.
1 880 ₴
- В наявності
- Код: TM153018
Транзистор ONSEMI FDD6637 P-MOSFET, DPAK, 57 Вт, 10 шт.В наявності
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор ONSEMI FDD6637 у корпусі DPAK. Пристрій має максимальну потужність розсіювання 57 Вт та опір у відкритому стані 19 мОм.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: DPAK, поверхневий монтаж
- Максимальна потужність розсіювання: 57 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 19 мОм
- Максимальна напруга затвор-витік: 25 В
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри та канал
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом p-типу. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 25 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 19 мОм.
Конструкція та технологія
Компонент виконаний у поверхневому монтажі у корпусі DPAK. Технологія виготовлення: PowerTrench®.
Комплектація та заряд
У наборі постачається 10 шт. транзисторів. Заряд затвора становить 35 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 57 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 19 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴