Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC655BN, 30V, 6.3A, SuperSOT-6 (набір 30 шт.)
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM153015
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC655BN, 30V, 6.3A, SuperSOT-6 (набір 30 шт.)В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC655BN — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана у компактному корпусі SuperSOT-6 із технологією PowerTrench®. Комплект поставки включає 30 одиниць компонентів.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Струм стіка: 6,3 А
- Опір у відкритому стані: 36 мОм
- Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
- Технологія: PowerTrench®
- Кількість у наборі: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 30 В та витримує постійний струм стіка 6,3 А. Напруга затвор-витік становить ±20 В. Опір у відкритому стані дорівнює 36 мОм. Загальний заряд затвора становить 13 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SuperSOT-6, що є стандартом для поверхневого монтажу (SMD). Використовується технологія PowerTrench®.
Комплектація
Увага: товар продається набором. В упаковці міститься 30 транзисторів ONSEMI FDC655BN. Потужність розсіювання становить 1,6 Вт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴