Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC604P, SuperSOT-6, -20В, -5,5А (набір 30 шт.)
1 880 ₴
- В наявності
- Код: TM153014
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC604P, SuperSOT-6, -20В, -5,5А (набір 30 шт.)В наявності
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний MOSFET-транзистор ONSEMI FDC604P у корпусі SuperSOT-6 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 одиниць. Максимальні параметри: напруга «дрен-витік» -20 В, струм «дрен» -5,5 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга «дрен-витік»: -20 В
- Струм «дрен»: -5,5 А
- Розсіювана потужність: 1,6 Вт
- Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
- Комплектація: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою «дрен-витік» до -20 В та струмом «дрен» до -5,5 А. Максимальна розсіювана потужність становить 1,6 Вт.
Технологія та комплектація
Транзистор виготовлений за технологією PowerTrench®. У комплекті постачається 30 одиниць.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴