Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB070AN06A0, 60В, 80А, D2PAK (набір 10 шт.)
2 720 ₴
- В наявності
- Код: TM153013
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB070AN06A0, 60В, 80А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 720 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB070AN06A0. Максимальний струм стоку: 80 А. У комплекті 10 шт.
- Максимальний струм стоку: 80 А
- Напруга стік-витік 60 В
- Розсіювання потужності 175 Вт
- Опір у відкритому стані 15 мОм
- Корпус: D2PAK; Тип монтажу: Поверхневий (SMD)
- Набір із 10 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор розрахований на постійний струм 80 А та розсіювання потужності 175 Вт.
Опір у відкритому стані
Опір каналу становить 15 мОм,
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі D2PAK із технологією монтажу SMD.
Напруга затвор-витікДопустима напруга затвор-витік ±20 В
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 175 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 15 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 720 ₴