
Транзистор ONSEMI FDA38N30 N-MOSFET 300V 22A TO3PN (набір 10 шт.)
2 880 ₴
- В наявності
- Код: TM153012
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI FDA38N30 — це польовий N-MOSFET транзистор у корпусі TO3PN. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 300 В та струм стоку 22 А. У комплекті поставляється 10 одиниць.
- Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 300 В
- Максимальний струм стоку: 22 А
- Потужність розсіювання: 312 Вт
- Корпус: TO3PN
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 300 В та напругою затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку становить 22 А, а імпульсний струм може досягати 150 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 85 мОм.
Потужність та технологія
Максимальна потужність розсіювання транзистора — 312 Вт. Пристрій виготовлений за технологією DMOS, UniFET™. Канал транзистора є збагачуваним, а полярність — уніполярною.
Комплектація
У наборі знаходиться 10 транзисторів ONSEMI FDA38N30. Монтаж здійснюється вставним способом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 312 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 300 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 22 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 85 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO3PN |
| Технологія | DMOS, UniFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 880 ₴
