Транзистор ONSEMI FCPF11N60F, N-MOSFET, 600 В, 7 А, SJ-MOSFET, TO220FP, 5 шт.
1 870 ₴
- В наявності
- Код: TM153010
Транзистор ONSEMI FCPF11N60F, N-MOSFET, 600 В, 7 А, SJ-MOSFET, TO220FP, 5 шт.В наявності
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 5 транзисторів ONSEMI FCPF11N60F — це N-MOSFET компоненти технології SJ-MOSFET у корпусі TO220FP. Максимально допустима напруга стік-витік становить 600 В, а максимальний струм стоку — 7 А.
- Тип: N-MOSFET, технологія SJ-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 7 А
- Потужність розсіювання: 36 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж вставний
- Кількість у наборі: 5 шт.
Технічні параметри
Транзистор має максимальну розсіювану потужність 36 Вт, що визначає тепловий режим роботи. Максимально допустима напруга стік-витік становить 600 В, а струм стоку — 7 А.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється вставним методом (через отвори).
Імпульсний струм та заряд затвора
Максимальний імпульсний струм стоку (Idm) становить 33 А. Заряд затвора дорівнює 52 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 36 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | SJ-MOSFET |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 870 ₴