Транзистор ONSEMI FCPF11N60 N-MOSFET 650В 11А TO220FP (набір 10 шт.)

Транзистор ONSEMI FCPF11N60 — це польовий N-MOSFET транзистор із технологією SuperFET®, розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та струм стоку 11 А. Прилад виконаний у корпусі TO220FP із вставним типом монтажу та має максимальну потужність розсіювання 36 Вт.

• Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 11 А
• Потужність розсіювання: 36 Вт
• Корпус: TO220FP, вставний монтаж
• Опір у відкритому стані: 380 мОм
• Кількість у наборі: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 650 В та максимально допустимою напругою затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку становить 11 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 380 мОм. Заряд затвора становить 52 нКл.

Конструкція та монтаж

Прилад виготовлений у корпусі TO220FP, що забезпечує вставний тип монтажу. Транзистор є однополярним (unipolarny) з каналом типу «wzbogacany» (збагачений). Технологія виготовлення — SuperFET®.

Комплектація та ідентифікація

У наборі постачається 10 транзисторів. Символ виробника — FCPF11N60.