Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCP20N60, 600В, 20А, TO220AB (5 шт.)
2 630 ₴
- В наявності
- Код: TM153008
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCP20N60, 600В, 20А, TO220AB (5 шт.)В наявності
2 630 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 5 потужних N-MOSFET транзисторів ONSEMI FCP20N60 у корпусі TO220AB.
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 20 А
- Розсіювана потужність: 208 Вт
- Корпус: TO220AB (THT монтаж)
- Технологія: SuperFET®
- Комплектація: 5 шт.
Висока напруга та струм
Транзистори розраховані на робочу напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 20 А.
Потужність розсіювання
Максимальна розсіювана потужність становить 208 Вт.
Технологія SuperFET®
Компоненти виготовлені за технологією SuperFET®,
Опір у відкритому стані
Опір у стані провідності становить 0,19 Ом,
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 208 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | SuperFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 630 ₴