Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB070N65S3, 650В, 44А, D2PAK (3 шт.)
2 030 ₴
- В наявності
- Код: TM153006
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB070N65S3, 650В, 44А, D2PAK (3 шт.)В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB070N65S3 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електричних ланцюгах. Комплект складається з 3 одиниць у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 44 А
- Потужність розсіювання: 312 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектація: 3 шт.
Напруга та опір
Максимальна напруга дрена-джерела — 650 В, а напруга затвор-джерело — ±30 В. Опір у стані провідності дорівнює 70 мОм.
Комплектація та ідентифікація
Комплект складається з 3 транзисторів. Символ виробника ONSEMI — FCB070N65S3, що відповідає маркуванню TME. Корпус D2PAK та монтаж SMD визначають спосіб фізичного встановлення компонента.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 312 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 44 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 70 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | D2PAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 030 ₴