Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP45H4D9HJ3, 41 Вт, TO251 (набір 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP45H4D9HJ3 — це польовий транзистор. У комплекті поставляється 20 одиниць у корпусі TO251 для вставного монтажу.

• Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
• Максимальна потужність розсіювання: 41 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 4900 мОм
• Максимальна напруга затвор-витік: 30 В
• Корпус: TO251, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну потужність розсіювання 41 Вт та опір у відкритому стані (Rds) 4900 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 30 В. Згідно з даними магазину, максимальний імпульсний струм дрену дорівнює -22,4 А, а заряд затвора — 13,7 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі TO251. Тип монтажу: вставний.

Комплектація

У наборі 20 транзисторів Diodes Incorporated DMP45H4D9HJ3.