Транзистор P-MOSFET Diodes Inc DMP3035SFG-7 — це польовий транзистор з типом монтажу: поверхневий.Товар постачається у вигляді набору з 30 одиниць.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Максимальна потужність розсіювання: 2,3 Вт
- Напруга затвор-витік: 25 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 29 мОм
- Корпус: PowerDI3333-8
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу затвор-витік 25 В та опір у відкритому стані (Rds) 29 мОм. Максимальна потужність розсіювання становить 2,3 Вт. Згідно з даними магазину, максимальний струм у імпульсі дорівнює -70 А, а заряд затвора — 35,5 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PowerDI3333-8. Тип монтажу: поверхневий (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 29 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PowerDI3333-8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 530 ₴


