Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP2040USS-13, SO8, -20V, -5.5A, набір 40 шт.
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM152624
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP2040USS-13, SO8, -20V, -5.5A, набір 40 шт.В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 40 транзисторів P-MOSFET від Diodes Incorporated, модель DMP2040USS-13. Компоненти у корпусі SO8 призначені для монтажу на поверхню (SMD) та мають максимальну розсіювану потужність 1,9 Вт.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, з поліпшеним каналом
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Максимальна напруга витоку-джерела: -20 В
- Постійний струм витоку: -5,5 А
- Імпульсний струм витоку: -30 А
- Розсіювана потужність: 1,9 Вт
- Опір у відкритому стані: 52 мОм
- Кількість у наборі: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним P-канальним MOSFET з поліпшеним каналом. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить -20 В, а постійний струм витоку — -5,5 А. У імпульсному режимі струм може досягати -30 А. Напруга на затворі обмежена ±12 В, а опір у відкритому стані дорівнює 52 мОм.
Монтаж та корпус
Компоненти виготовлені у корпусі SO8 для монтажу на поверхню (SMD).
Комплектація
У набір входить 40 транзисторів DMP2040USS-13. Заряд затвора становить 19 нКл. Компоненти мають тип каналу з поліпшенням (enhancement mode).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.9 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 52 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SO8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴