Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMNH10H028SCT, 100В, 42А, TO220AB (набір 10 шт.)

Набір із 10 польових транзисторів N-MOSFET від Diodes Incorporated (модель DMNH10H028SCT) у корпусі TO220AB. Монтаж: вставний, мають максимальну напругу стік-витік 100 В та струм стоку 42 А.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Максимальний струм стоку: 42 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 19 мОм
• Корпус: TO220AB, вставний монтаж
• Кількість у наборі: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор є польовим (MOSFET) типу N-MOSFET. Максимально допустима напруга стік-витік становить 100 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний постійний струм стоку дорівнює 42 А.

Потужність та опір

Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 2,8 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) становить 19 мОм. Імпульсний струм дренажу може досягати 90 А.

Корпус та комплектація

Компоненти виконані у корпусі TO220AB. У комплекті постачається 10 штук. Заряд затвора становить 25,4 нКл.