Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN6040SFDE-7, 60В, 4.1А, набір 30 шт.

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN6040SFDE-7 — це польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для поверхневого монтажу. Модель має максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 4.1 А. У комплекті постачається 30 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 4.1 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 38 мОм
• Потужність розсіювання: 0.66 Вт
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 60 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 4.1 А, а імпульсний струм може досягати 30 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 38 мОм.

Потужність та корпус

Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 0.66 Вт. Компонент виконаний у корпусі U-DFN2020-6 Type E.