Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG4800LSD-13, 30 В, 8,4 А, SO8 (набір 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG4800LSD-13 — це польовий транзистор з каналом типу N для поверхневого монтажу. Модель розрахована на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 8,4 А при потужності розсіювання 1,5 Вт.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Максимальний струм стоку: 8,4 А
• Потужність розсіювання: 1,5 Вт
• Корпус: SO8, поверхневий монтаж
• Кількість у наборі: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 30 В та максимально допустиму напругу затвор-витік 25 В. Максимальний струм стоку становить 8,4 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 22 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SO8 для поверхневого монтажу. Максимальна потужність розсіювання становить 1,5 Вт.

Комплектація

У наборі постачається 30 транзисторів моделі DMG4800LSD-13.