Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated DMG1016V-7, SOT563, ESD (набір 50 шт.)

Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated DMG1016V-7 — це комплементарна пара польових транзисторів у корпусі SOT563. Комплект складається з 50 одиниць.

• Тип транзистора: польовий (MOSFET)
• Корпус: SOT563, поверхневий монтаж
• Максимальна потужність розсіювання: 0,53 Вт
• Напруга затвор-витік: 6 В
• Напруга дрена-джерело: 20/-20 В
• Струм дрена: 0,63/-0,46 А
• Кількість у комплекті: 50 шт.

Електричні характеристики

Компонент має максимальну потужність розсіювання 0,53 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 6 В. Напруга дрена-джерело дорівнює 20 В для N-каналу та -20 В для P-каналу. Струм дрена визначений як 0,63 А для N-каналу та -0,46 А для P-каналу. Опір у стані провідності складає 0,4 Ом для N-каналу та 0,7 Ом для P-каналу.

Корпус та версія

Транзистор виконаний у корпусі SOT563 із поверхневим типом монтажу. Версія компонента позначена як ESD. Канал транзистора є збагаченим, а поляризація — уніполярною.