Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMG1013T-7, SOT523, 80 шт.
1 880 ₴
- В наявності
- Код: TM152616
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMG1013T-7, SOT523, 80 шт.В наявності
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMG1013T-7 — це польовий транзистор у корпусі SOT523. Комплект складається з 80 одиниць, призначених для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: SOT523
- Максимальна потужність розсіювання: 0,27 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 700 мОм
- Максимальна напруга затвор-витік: 6 В
- Кількість у комплекті: 80 шт.
Технічні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 0,27 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 700 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 6 В.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SOT523. Тип монтажу — поверхневий. Версія: ESD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.27 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 6 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 700 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | SOT523 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴