Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC059-AQ, 1.2 кВ, 46 А, 278 Вт (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET від DIOTEC SEMICONDUCTOR на технології SiC. Модель DIW120SIC059-AQ розрахована на напругу 1,2 кВ та струм стоку 46 А. У комплекті 2 шт.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Технологія: SiC (карбід кремнію)
• Максимальна напруга: 1,2 кВ
• Струм стоку: 46 А (постійний), 100 А (імпульсний)
• Потужність розсіювання: 278 Вт
• Опір у відкритому стані: 65 мОм
• Корпус: TO247-3, вставний монтаж
• У комплекті: 2 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор працює з максимально допустимою напругою затвор-витік 18 В та напругою стік-витік 1,2 кВ. Максимальний постійний струм стоку становить 46 А, а імпульсний — 100 А. Це визначає робочі межі компонента в електричних схемах.

Потужність розсіювання

Максимальна потужність розсіювання дорівнює 278 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 65 мОм.

Технологія та монтаж

Компонент виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Корпус TO247-3 забезпечує вставний монтаж. Заряд затвора становить 121 нКл. Компонент призначений для застосування в автомобільній промисловості.