Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC028, 1200 В, 84 А, TO247-3
2 870 ₴
- В наявності
- Код: TM152586
Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC028, 1200 В, 84 А, TO247-3В наявності
2 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIW120SIC028 — це силовий напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC). Максимальна напруга затвор-витік становить 20 В, максимальний струм стоку — 84 А.
- Технологія SiC (карбід кремнію)
- Максимальна потужність розсіювання 715 Вт
- Струм стоку 84 А
- Опір у відкритому стані 26 мОм
- Корпус TO247-3, вставний монтаж
Потужність розсіювання
Максимальна потужність розсіювання становить 715 Вт.
Електричні параметри
Максимально допустимий струм стоку становить 84 А, а максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В.
Технологія та монтаж
Технологія виготовлення — SiC (карбід кремнію). Опір у відкритому стані (Rds) становить 26 мОм. Корпус — TO247-3, тип монтажу — вставний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 715 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 84 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 26 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO247-3 |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 870 ₴