Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC023-AQ, 100А, 600Вт

Транзистор N-MOSFET від бренду DIOTEC SEMICONDUCTOR, модель DIW120SIC023-AQ. Це компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-3.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Технологія: SiC (карбід кремнію)
• Максимальна потужність розсіювання: 600 Вт
• Максимальний струм стоку: 100 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 29 мОм
• Корпус: TO247-3
• Тип монтажу: вставний

Висока потужність розсіювання

Компонент має максимальну потужність розсіювання 600 Вт.

Струм стоку та імпульсні характеристики

Максимально допустимий постійний струм стоку становить 100 А. Імпульсний струм становить 260 А.

Технологія SiC та низький опір

Технологія: SiC (карбід кремнію). Опір у відкритому стані (Rds): 29 мОм.

Параметри керування затвором

Максимально допустима напруга затвор-витік становить 18 В. Заряд затвора: 45 нКл. Максимально допустима напруга затвор-витік: 18 В. Тип монтажу: вставний. Застосування: автомобільна промисловість.