Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW065SIC015, 650В, 100А, TO247-3
2 860 ₴
- В наявності
- Код: TM152584
Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW065SIC015, 650В, 100А, TO247-3В наявності
2 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIW065SIC015 — це напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-3. Пристрій характеризується максимальною напругою стік-витік 650 В та струмом стоку 100 А.
- Тип транзистора: польовий N-MOSFET
- Технологія: SiC (карбід кремнію)
- Максимальна напруга стік-витік: 650 В
- Максимальний струм стоку: 100 А (300 А в імпульсі)
- Опір у відкритому стані (Rds): 16 мОм
- Корпус: TO247-3, монтаж вставний
Електричні параметри
Транзистор витримує максимальну напругу стік-витік 650 В та постійний струм стоку 100 А. Тип монтажу — вставний. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 300 А.
Карбід кремнію (SiC)
Опір у відкритому стані (Rds) становить 16 мОм.
Потужність розсіювання та заряд затвора
Максимальна потужність розсіювання становить 550 Вт. Заряд затвора (Qg) дорівнює 236 нКл, а максимальна напруга затвор-витік обмежена 15 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 550 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO247-3 |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 860 ₴