Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC053, 1200 В, 46 А, TO247-4 — набір 2 шт.

Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF120SIC053 — це силовий напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-4. Максимальна напруга сток-витік 1200 В, затвор-витік 18 В, максимальний струм стоку 46 А. У комплекті поставляється 2 штуки.

• Тип транзистора: N-MOSFET на основі SiC
• Максимальна напруга сток-витік: 1200 В
• Струм стоку: 46 А (імпульсний до 100 А)
• Опір у відкритому стані (Rds): 65 мОм
• Потужність розсіювання: 278 Вт
• Корпус: TO247-4, монтаж вставний
• У комплекті: 2 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга затвор-витік становить 18 В. Максимальний постійний струм стоку — 46 А. Імпульсний струм стоку може досягати 100 А. Заряд затвора — 121 нКл.

Опір та потужність

Опір у відкритому стані (Rds) становить 65 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 278 Вт. Технологія виготовлення — SiC (карбід кремнію).

Корпус та комплектація

Тип монтажу — вставний. Корпус — TO247-4. У комплекті 2 шт. Наявне виведення Кельвіна.