Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC053-AQ, 1200 В, 46 А

Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF120SIC053-AQ — це силовий напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC). Він розрахований на струм стоку 46 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET на основі SiC
• Максимальна напруга: 1200 В
• Струм стоку: 46 А (імпульсний до 100 А)
• Потужність розсіювання: 278 Вт
• Опір відкритого каналу (Rds): 65 мОм
• Корпус: TO247-4 з виведенням Кельвіна

Електричні параметри

Прилад витримує максимальну напругу затвор-витік 18 В. Максимально допустимий струм стоку становить 46 А, а імпульсний струм може досягати 100 А.

Потужність та опір

Максимальна потужність розсіювання дорівнює 278 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) становить 65 мОм. Використано технологію SiC.

Корпус та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі TO247-4 з виведенням Кельвіна. Тип монтажу — вставний. Заряд затвора становить 121 нКл. Призначення: автомобільна промисловість. Канал: збагачений.