Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF065SIC030, 650В, 74А, TO247-4

Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF065SIC030 виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Пристрій розрахований на напругу 650 В та постійний струм стоку 74 А.

• Технологія SiC
• Максимальна напруга стік-витік 650 В
• Постійний струм стоку 74 А
• Опір у відкритому стані 30 мОм
• Корпус TO247-4 з виведенням Кельвіна
• Вставний тип монтажу

Висока напруга та струм

Транзистор витримує максимальну напругу стік-витік 650 В та постійний струм стоку 74 А. Імпульсний струм може досягати 105 А.

Технологія SiC та низький опір

Використання карбіду кремнію (SiC) як напівпровідникового матеріалу забезпечує низький опір у відкритому стані — 30 мОм. Заряд затвора становить 145 нКл.

Корпус TO247-4 та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO247-4 з виведенням Кельвіна. Тип монтажу — вставний. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 18 В.