Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF065SIC020, 650В, 100А, TO247-4
2 850 ₴
- В наявності
- Код: TM152561
Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF065SIC020, 650В, 100А, TO247-4В наявності
2 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF065SIC020 виготовлений за технологією SiC. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 650 В та струм стоку 100 А.
- Технологія SiC
- Корпус TO247-4
- Напруга стік-витік 650 В
- Струм стоку 100 А
- Потужність розсіювання 550 Вт
- Опір Rds 16 мОм
Потужність розсіювання
Максимальна потужність розсіювання становить 550 Вт. Ця характеристика визначає тепловий режим роботи компонента.
Стійкість до високих напруг
Максимально допустима напруга стік-витік дорівнює 650 В. Напруга затвор-витік обмежена значенням 18 В. Такі параметри визначають робочий діапазон транзистора.
Опір у відкритому стані
Опір у відкритому стані (Rds) становить 16 мОм. Параметр визначає електричний опір каналу транзистора у відкритому стані. Корпус TO247-4 та вставний тип монтажу визначають спосіб встановлення компонента на плату. Транзистор є польовим, що відповідає його конструктивним особливостям.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 550 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 18 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO247-4 |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 850 ₴