Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI100N10PQ, 100В, 50А, QFN5x6 — набір 10 шт.
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM152550
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI100N10PQ, 100В, 50А, QFN5x6 — набір 10 шт.В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
N-MOSFET транзистор DIOTEC DI100N10PQ у корпусі QFN5x6 з максимальним струмом стоку 50 А та напругою стік-витік 100 В. Тип монтажу: поверхневий.
- Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 50 А
- Потужність розсіювання: 60 Вт
- Опір у відкритому стані: 6.6 мОм
- Корпус: QFN5x6
- У комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 60 Вт та опір у відкритому стані (Rds) 6.6 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В, а піковий струм стоку (Idm) — 480 А. Заряд затвора дорівнює 75 нКл.
Корпус та комплектація
Компонент виконаний у корпусі QFN5x6. У комплекті постачається 10 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 60 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6.6 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | QFN5x6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴