
Модуль MOSFET DACO Semiconductor DAMI300N150, 150 В, 180 А, SOT227B
3 640 ₴
- В наявності
- Код: TM152431
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Одинарний силовий транзисторний модуль DACO Semiconductor DAMI300N150 у корпусі SOT227B. Максимальна напруга стік-витік 150 В, максимальний струм стоку 180 А.
- Максимальна напруга стік-витік: 150 В
- Максимальний струм стоку: 180 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 4.5 мОм
- Потужність розсіювання: 320 Вт
- Корпус: SOT227B
- Тип монтажу: прикручуваний
Електричні параметри
Модуль має максимальну напругу стік-витік 150 В та максимально допустимий струм стоку 180 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 4.5 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 320 Вт. Напруга затвор-витік обмежена 20 В.
Конструкція та монтаж
Транзисторний модуль MOSFET має структуру одинарного транзистора та уніполярну поляризацію. Механічний та електричний монтаж виконується за допомогою прикручування.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 320 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 180 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.5 mOm |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | SOT227B |
| Виробник | DACO Semiconductor |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 640 ₴
