Діодний модуль DACO Semiconductor DACSB400120CT, 1,2 кВ, 200 А x2, SiC

Діодний модуль DACO Semiconductor DACSB400120CT — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) з подвійною структурою та спільною катодом.

• Технологія SiC
• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
• Прямий струм 200 А x2 (подвійний діод)
• Максимальна пряма напруга 1,6 В
• Корпус Twin tower B
• Прикручуваний тип монтажу

Висока напруга та струм

Модуль розрахований на максимальну зворотну напругу 1,2 кВ та прямий струм 200 А x2.

Технологія SiC

Максимальна пряма напруга: 1,6 В.

Конструкція та монтаж

Модуль виконаний у корпусі Twin tower B з механічним та електричним прикручуваним монтажем. Подвійна структура зі спільною катодом. Корпус: Twin tower B.