Транзистор DACO Semiconductor DACMI200N1200, SiC, 125 А, 1,2 кВ
12 990 ₴
- В наявності
- Код: TM152425
Транзистор DACO Semiconductor DACMI200N1200, SiC, 125 А, 1,2 кВВ наявності
12 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Одинарний силовий транзистор DACO Semiconductor DACMI200N1200 у корпусі SOT227B. Пристрій виготовлений за технологією SiC та має максимальний струм стоку 125 А при напрузі 1,2 кВ.
- Струм стоку: 125 А
- Напруга: 1,2 кВ
- Технологія: SiC
- Корпус: SOT227B
- Опір Rds: 15 мОм
- Потужність: 980 Вт
Електричні параметри
Максимально допустимий струм стоку становить 125 А, а напруга затвор-витік обмежена 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 15 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 980 Вт.
Конструкція та монтаж
Транзистор виконаний як одиночний транзистор у корпусі SOT227B. Механічний та електричний монтаж — прикручуваний. Діапазон робочих температур становить від -55 до 150 °C.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 980 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 125 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 15 mOm |
| Додаткові характеристики | |
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | SOT227B |
| Виробник | DACO Semiconductor |
| Робоча температура | -55–150 |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 12 990 ₴