Транзистор DACO Semiconductor DACMI160N1200, SiC, 1200 В, 110 А
6 290 ₴
- В наявності
- Код: TM152424
Транзистор DACO Semiconductor DACMI160N1200, SiC, 1200 В, 110 АВ наявності
6 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Одиночний модуль транзистора DACO Semiconductor DACMI160N1200 на основі технології SiC. Характеризується максимально допустимою напругою 1200 В та максимальним струмом стоку 110 А у корпусі SOT227B.
- Струм стоку: 110 А
- Напруга затвор-витік: 20 В
- Потужність розсіювання: 580 Вт
- Опір у відкритому стані: 20 мОм
- Корпус: SOT227B
- Технологія: SiC
Електричні параметри
Модуль має максимальну напругу затвор-витік 20 В та опір у відкритому стані 20 мОм. Максимальна потужність розсіювання становить 580 Вт.
Конструкція та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі SOT227B з прикручуваним типом монтажу як для механічного, так і для електричного кріплення. Структура напівпровідника — одиночний транзистор з уніполярною поляризацією.
Теплові характеристики
Діапазон робочих температур становить від -55 до 150 °C. Максимальна робоча температура становить 150 °C.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 580 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 110 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 20 mOm |
| Додаткові характеристики | |
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | SOT227B |
| Виробник | DACO Semiconductor |
| Робоча температура | -55–150 |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 6 290 ₴