Модуль транзисторний DACO Semiconductor DACMH160N1200, 1,2 кВ, 110 А, SiC
11 980 ₴
- В наявності
- Код: TM152423
Напівпровідниковий модуль DACO Semiconductor DACMH160N1200 — це напівміст на основі SiC-транзисторів. Пристрій має максимальну робочу напругу 1,2 кВ та струм стоку 110 А.
- Струм стоку: 110 А
- Робоча напруга: 1,2 кВ
- Потужність розсіювання: 580 Вт
- Технологія: SiC
- Корпус: HB9434
- Опір відкритого стану: 20 mOm
Електричні параметри та потужність
Модуль розрахований на високу напругу 1,2 кВ та постійний струм стоку 110 А. Максимальна потужність розсіювання становить 580 Вт, що визначає тепловий режим роботи. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 20 mOm, а максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В.
Конструкція, топологія та монтаж
Корпус HB9434 забезпечує механічне та електричне кріплення прикручуванням. Структура напівпровідника реалізована за схемою «транзистор/транзистор» у топології напівмосту MOSFET. Модуль є уніполярним та виготовлений за технологією SiC.
Теплові характеристики та діапазон роботи
Діапазон робочих температур модуля становить від -55 до 150 °C. Максимальна робоча температура зафіксована на рівні 150 град.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 580 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 110 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 20 mOm |
| Додаткові характеристики | |
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | HB9434 |
| Виробник | DACO Semiconductor |
| Робоча температура | -55–150 |
| Технологія | SiC |
- Ціна: 11 980 ₴