Діодний модуль DACO Semiconductor CSRI2X25-065P1B, SiC, 650 В, 25 А x2, SOT227B

Діодний модуль DACO Semiconductor CSRI2X25-065P1B — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі SOT227B.

• Технологія SiC
• Максимальна напруга 650 В
• Струм прямого струму 25 А x2 (подвійна структура)
• Корпус SOT227B
• Імпульсний струм до 125 А

Технологія SiC

Модуль виготовлено за технологією SiC (карбід кремнію).

Електричні параметри

Модуль розрахований на максимальну зворотну напругу 650 В та струм провідження 25 А x2. Максимальний імпульсний струм становить 125 А.

Конструкція та монтаж

Компонент має подвійну незалежну структуру та виконаний у корпусі SOT227B. Монтаж — прикручування. Максимальна пряма напруга: 2 В.