Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19538Q2T, 100V, 14.4A, WSON6 (40 шт.)

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19538Q2T — це уніполярний компонент із каналом збагачення, транзисторний компонент. Пакет містить 40 одиниць у корпусі WSON6 розміром 2 × 2 мм, що забезпечує компактне розміщення на платі. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
• Струм дрена: 14,4 А
• Розсіювана потужність: 20,2 Вт
• Корпус: WSON6, розміри 2 × 2 мм
• Монтаж: SMD
• Технологія: NexFET™
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Потужність та струм

Компонент працює зі струмом дрена 14,4 А при напрузі дрена-джерела 100 В. Розсіювана потужність становить 20,2 Вт, що визначає тепловий режим роботи. Опір у відкритому стані дорівнює 49 мОм.

Керування та заряд затвора

Напруга затвор-джерело може сягати ±20 В, що задає діапазон керуючих сигналів. Компонент виготовлений за технологією NexFET™.