Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19536KTTT, 100V, 200A, D2PAK (3 шт.)
1 910 ₴
- В наявності
- Код: TM152337
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19536KTTT, 100V, 200A, D2PAK (3 шт.)В наявності
1 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19536KTTT — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
- Постійний струм дрена: 200 А, імпульсний: 400 А
- Розсіювана потужність: 375 Вт
- Опір у стані провідності: 2,8 мОм
- Корпус D2PAK, монтаж SMD, технологія NexFET™
- У комплекті 3 штуки
Напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 200 А. Імпульсний струм дрена може досягати 400 А, а розсіювана потужність становить 375 Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, а заряд затвора дорівнює 118 нКл.
Комплектація
У комплекті постачається 3 транзистори CSD19536KTTT.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 375 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 200 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 910 ₴