Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19532KTTT, 100В, 200А, D2PAK (набір 10 шт.)
2 690 ₴
- В наявності
- Код: TM152336
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19532KTTT, 100В, 200А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 690 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19532KTTT — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі D2PAK. Комплект складається з 10 одиниць.
- Постійний струм стоку: 200 А
- Піковий струм у імпульсному режимі до 400 А
- Розсіювана потужність 250 Вт
- Опір у відкритому стані: 6,6 мОм
- Корпус D2PAK із монтажем SMD
- Комплект із 10 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Транзистор розрахований на постійний струм стоку 200 А. У імпульсному режимі пристрій витримує піковий струм до 400 А,
Розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 250 Вт, Опір у відкритому стані: 6,6 мОм.
Монтаж та технологія
Компонент виконаний у корпусі D2PAK із технологією монтажу SMD, Технологія: NexFET™. Заряд затвора: 44 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 200 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6.6 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 690 ₴