Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19505KCS, 80В, 150А, TO220-3 (набір 10 шт.)
3 650 ₴
- В наявності
- Код: TM152335
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19505KCS, 80В, 150А, TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
3 650 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19505KCS — це уніполярний компонент із каналом збагачення, максимально допустима напруга 80 В та струм 150 А. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO220-3.
- Напруга дрена-джерела: 80 В
- Струм дрена: 150 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Опір у стані провідності: 2.6 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплектація: набір із 10 штук
Висока потужність розсіювання
Компонент здатний розсіювати потужність до 300 Вт, Товщина радіатора становить 1.14–1.4 мм.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності становить 2.6 мОм,
Монтаж та технологія NexFET™
Транзистор виготовлений за технологією NexFET™, Монтаж виконується методом THT (вставний).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 150 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.6 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | NexFET™ |
| Товщина радіатора | 1.14–1.4 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 650 ₴