Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19503KCS, 80В, 100А, TO220-3 (набір 10 шт.)
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM152334
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19503KCS, 80В, 100А, TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19503KCS — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, з максимальним струмом стоку 100 А та напругою стік-витік 80 В. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT).
- Струм стоку: 100 А
- Напруга стік-витік: 80 В
- Розсіювана потужність: 188 Вт
- Опір у стані провідності: 7,6 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Набір: 10 штук
Потужність та струм
Транзистор розрахований на постійний струм стоку 100 А та напругу стік-витік 80 В. Максимальна розсіювана потужність становить 188 Вт.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності дорівнює 7,6 мОм.
Технологія NexFET™
Компонент виготовлений за технологією NexFET™ від Texas Instruments.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі TO220-3 з виводами для монтажу в отвори (THT). Товщина радіатора (площадки кріплення) становить 1,14–1,4 мм.
Комплектація
У комплекті постачається 10 транзисторів Texas Instruments CSD19503KCS.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 188 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.6 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | NexFET™ |
| Товщина радіатора | 1.14–1.4 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴