
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18532KCS, 60В, 100А, 250Вт, TO220-3 (набір 10 шт.)
2 100 ₴
- В наявності
- Код: TM152331
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18532KCS — це уніполярний польовий транзистор. Максимально допустима напруга стік-витік становить 60 В, максимально допустимий струм стоку — 100 А. Товар поставляється набором із 10 штук у корпусі TO220-3 з типом монтажу THT.
- Максимальна потужність розсіювання 250 Вт
- Струм стоку до 100 А
- Напруга стік-витік 60 В
- Корпус TO220-3 для монтажу THT
- Технологія NexFET™
- Набір із 10 транзисторів
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 250 Вт. Максимально допустимий струм стоку — 100 А, а максимально допустима напруга стік-витік — 60 В.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220-3. Товщина радіатора (фланця) становить 1.14–1.4 мм. Тип монтажу THT передбачає виведення через отвори на платі.
Технологія NexFET™
Транзистор виготовлений за технологією NexFET™ від Texas Instruments. Це фірмова технологія виробника.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.3 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | NexFET™ |
| Товщина радіатора | 1.14–1.4 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 100 ₴
