Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18504KCS, 40В, 100А, TO220-3 (30 шт.)
2 320 ₴
- В наявності
- Код: TM152330
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18504KCS, 40В, 100А, TO220-3 (30 шт.)В наявності
2 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 30 транзисторів N-MOSFET від Texas Instruments, модель CSD18504KCS. Призначені для монтажу на плату (THT) у корпусі TO220-3. Ключові параметри: напруга 40 В, струм 100 А, потужність розсіювання 115 Вт.
- Струм стоку 100 А
- Напруга сток-виток 40 В
- Потужність розсіювання 115 Вт
- Опір у відкритому стані 5,5 мОм
- Корпус TO220-3, монтаж THT
- Комплект 30 шт.
Електричні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 40 В, а допустимий струм стоку — 100 А. Опір у відкритому стані дорівнює 5,5 мОм.
Теплові параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 115 Вт. Товщина монтажного фланця корпусу становить 1,14–1,4 мм.
Монтаж та корпус
Монтаж здійснюється виводами наскрізь (THT) у корпусі TO220-3. Виріб виготовлено за технологією NexFET™.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | NexFET™ |
| Товщина радіатора | 1.14–1.4 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 320 ₴