Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18502KCS, 40 В, 100 А, 259 Вт (TO220-3) — набір 10 шт.

2 790 ₴

  • В наявності
  • Код: TM152329
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18502KCS, 40 В, 100 А, 259 Вт (TO220-3) — набір 10 шт.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18502KCS, 40 В, 100 А, 259 Вт (TO220-3) — набір 10 шт.В наявності
2 790 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET від бренду Texas Instruments, модель CSD18502KCS. Це польовий транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) у корпусі TO220-3, розрахований на максимальну напругу стік-витік 40 В та струм стоку 100 А.

  • Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
  • Максимальна напруга стік-витік: 40 В
  • Максимальний струм стоку: 100 А
  • Потужність розсіювання: 259 Вт
  • Опір у відкритому стані: 2.4 мОм
  • Корпус: TO220-3
  • Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну потужність розсіювання 259 Вт. Максимально допустима напруга стік-витік становить 40 В, а максимально допустимий струм стоку — 100 А. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) складає 2.4 мОм.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з типом монтажу «Вставний». Товщина радіатора варіюється в межах 1.14–1.4 мм. Використовується технологія NexFET™. Заряд затвора становить 52 нКл.

Комплектація

У наборі постачається 10 шт. транзисторів. Полярність транзистора — уніполярна. Символ виробника: CSD18502KCS.

Характеристики
Основні
ВиробникTexas Instruments
Максимальна потужність розсіювання259 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік40 В
Максимально допустимий струм стоку100 А
Опір у відкритому стані (Rds)2.4 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO220-3
ТехнологіяNexFET™
Товщина радіатора1.14–1.4
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 790 ₴