
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18502KCS, 40 В, 100 А, 259 Вт (TO220-3) — набір 10 шт.
2 790 ₴
- В наявності
- Код: TM152329
Транзистор N-MOSFET від бренду Texas Instruments, модель CSD18502KCS. Це польовий транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) у корпусі TO220-3, розрахований на максимальну напругу стік-витік 40 В та струм стоку 100 А.
- Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 40 В
- Максимальний струм стоку: 100 А
- Потужність розсіювання: 259 Вт
- Опір у відкритому стані: 2.4 мОм
- Корпус: TO220-3
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 259 Вт. Максимально допустима напруга стік-витік становить 40 В, а максимально допустимий струм стоку — 100 А. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) складає 2.4 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з типом монтажу «Вставний». Товщина радіатора варіюється в межах 1.14–1.4 мм. Використовується технологія NexFET™. Заряд затвора становить 52 нКл.
Комплектація
У наборі постачається 10 шт. транзисторів. Полярність транзистора — уніполярна. Символ виробника: CSD18502KCS.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 259 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.4 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | NexFET™ |
| Товщина радіатора | 1.14–1.4 |
- Ціна: 2 790 ₴
