Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17578Q3AT, 30V, 20A, 37W, VSONP8 (набір 30 шт.)

2 740 ₴

  • В наявності
  • Код: TM152328
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17578Q3AT, 30V, 20A, 37W, VSONP8 (набір 30 шт.)
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17578Q3AT, 30V, 20A, 37W, VSONP8 (набір 30 шт.)В наявності
2 740 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17578Q3AT — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації струму до 20 А при напрузі 30 В. Завдяки технології NexFET™ та компактному корпусу VSONP8 він має максимальну потужність розсіювання 37 Вт.

  • Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Максимальна напруга дрен-виток: 30 В
  • Максимальний струм дрену: 20 А
  • Розсіювана потужність: 37 Вт
  • Корпус VSONP8, розміри 3.3 × 3.3 мм, монтаж SMD
  • Опір у стані провідності: 8.2 мОм
  • Технологія NexFET™
  • Набір: 30 штук

Компактний корпус для SMD монтажу

Компонент виконаний у корпусі VSONP8 із розмірами 3.3 × 3.3 мм, що дозволяє розміщувати його на щільних друкованих платах. Метод монтажу SMD. Корпус VSONP8 має розміри 3.3 × 3.3 мм.

Низький опір та висока потужність

Транзистор має опір у стані провідності 8.2 мОм. Максимальна розсіювана потужність становить 37 Вт. Заряд затвора становить 7.9 нК.

Комплектація

Товар постачається набором із 30 штук.

Характеристики
Основні
ВиробникTexas Instruments
Максимальна потужність розсіювання37 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік30 В
Максимально допустимий струм стоку20 А
Опір у відкритому стані (Rds)8.2 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусVSONP8
Розміри3.3 × 3.3
ТехнологіяNexFET™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 740 ₴