
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17578Q3AT, 30V, 20A, 37W, VSONP8 (набір 30 шт.)
2 740 ₴
- В наявності
- Код: TM152328
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17578Q3AT — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації струму до 20 А при напрузі 30 В. Завдяки технології NexFET™ та компактному корпусу VSONP8 він має максимальну потужність розсіювання 37 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрен-виток: 30 В
- Максимальний струм дрену: 20 А
- Розсіювана потужність: 37 Вт
- Корпус VSONP8, розміри 3.3 × 3.3 мм, монтаж SMD
- Опір у стані провідності: 8.2 мОм
- Технологія NexFET™
- Набір: 30 штук
Компактний корпус для SMD монтажу
Компонент виконаний у корпусі VSONP8 із розмірами 3.3 × 3.3 мм, що дозволяє розміщувати його на щільних друкованих платах. Метод монтажу SMD. Корпус VSONP8 має розміри 3.3 × 3.3 мм.
Низький опір та висока потужність
Транзистор має опір у стані провідності 8.2 мОм. Максимальна розсіювана потужність становить 37 Вт. Заряд затвора становить 7.9 нК.
Комплектація
Товар постачається набором із 30 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 37 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8.2 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | VSONP8 |
| Розміри | 3.3 × 3.3 |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 740 ₴
