Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17577Q3AT, 30В, 35А, VSONP8 (набір 20 шт.)
2 700 ₴
- В наявності
- Код: TM152327
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17577Q3AT, 30В, 35А, VSONP8 (набір 20 шт.)В наявності
2 700 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17577Q3AT — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель виконана у компактному корпусі VSONP8 та реалізується набором із 20 штук.
- Струм стоку до 35 А
- Розсіювана потужність 53 Вт
- Низький опір у відкритому стані 5,3 мОм
- Компактний корпус VSONP8 (3,3 × 3,3 мм) для SMD монтажу
- Набір із 20 транзисторів
- Технологія NexFET™
Висока струмова навантаженість
Транзистор витримує струм стоку до 35 А,
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 53 Вт. Завдяки технології NexFET™ та низькому опору в стані провідності (5,3 мОм).
Компактний корпус для SMD монтажу
Компонент має розміри 3,3 × 3,3 мм та виконаний у корпусі VSONP8, для поверхневого монтажу (SMD).
Надійна ізоляція та керування
Максимальна напруга стік-витік становить 30 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Заряд затвора становить 12 нК.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 53 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 35 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | VSONP8 |
| Розміри | 3.3 × 3.3 |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 700 ₴