
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17576Q5BT, 30V, 100A, VSON-CLIP8 (30 шт.)
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM152326
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17576Q5BT — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 100 А при напрузі 30 В. Компонент виконаний у корпусі VSON-CLIP8 із технологією NexFET™ та поставляється комплектом із 30 штук.
- Струм стоку: 100 А
- Напруга стік-джерело: 30 В
- Опір у відкритому стані: 2,4 мОм
- Корпус: VSON-CLIP8 (5 × 6 мм)
- Монтаж: SMD
- Комплектація: 30 шт.
Висока комутаційна потужність
Компонент розрахований на напругу стік-джерело 30 В та струм стоку до 100 А. Низький опір у відкритому стані 2,4 мОм зменшує нагрівання при великих струмах. Максимальна розсіювана потужність становить 125 Вт,
Технологія NexFET™ та заряд затвора
Компонент виготовлений за технологією NexFET™. Загальний заряд затвора становить 25 нКл. Максимальна допустима напруга затвор-джерело становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.4 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | VSON-CLIP8 |
| Розміри | 5 × 6 |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 230 ₴
