Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17576Q5BT, 30V, 100A, VSON-CLIP8 (30 шт.)

2 230 ₴

  • В наявності
  • Код: TM152326
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17576Q5BT, 30V, 100A, VSON-CLIP8 (30 шт.)
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17576Q5BT, 30V, 100A, VSON-CLIP8 (30 шт.)В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17576Q5BT — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 100 А при напрузі 30 В. Компонент виконаний у корпусі VSON-CLIP8 із технологією NexFET™ та поставляється комплектом із 30 штук.

  • Струм стоку: 100 А
  • Напруга стік-джерело: 30 В
  • Опір у відкритому стані: 2,4 мОм
  • Корпус: VSON-CLIP8 (5 × 6 мм)
  • Монтаж: SMD
  • Комплектація: 30 шт.

Висока комутаційна потужність

Компонент розрахований на напругу стік-джерело 30 В та струм стоку до 100 А. Низький опір у відкритому стані 2,4 мОм зменшує нагрівання при великих струмах. Максимальна розсіювана потужність становить 125 Вт,

Технологія NexFET™ та заряд затвора

Компонент виготовлений за технологією NexFET™. Загальний заряд затвора становить 25 нКл. Максимальна допустима напруга затвор-джерело становить ±20 В.

Характеристики
Основні
ВиробникTexas Instruments
Максимальна потужність розсіювання125 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік30 В
Максимально допустимий струм стоку100 А
Опір у відкритому стані (Rds)2.4 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусVSON-CLIP8
Розміри5 × 6
ТехнологіяNexFET™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 230 ₴