Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ018NE2LSATMA1, 25В, 40А, 69Вт, PG-TSDSON-8 (20 шт.)
2 810 ₴
- В наявності
- Код: TM151474
Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ018NE2LSATMA1, 25В, 40А, 69Вт, PG-TSDSON-8 (20 шт.)В наявності
2 810 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSZ018NE2LSATMA1. Це польовий транзистор N-MOSFET у корпусі PG-TSDSON-8, призначений для поверхневого монтажу. У комплекті поставляється 20 одиниць.
- Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 25 В
- Максимальний струм стоку: 40 А
- Потужність розсіювання: 69 Вт
- Опір у відкритому стані: 1.8 mOm
- Корпус: PG-TSDSON-8
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 25 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 40 А.
Потужність та опір
Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 69 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 1.8 mOm.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™. Корпус PG-TSDSON-8, тип монтажу — поверхневий.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 69 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 25 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 40 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TSDSON-8 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 810 ₴