Транзистор P-MOSFET Infineon BSS84PH6327XTSA2, SOT23, набір 80 шт.
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM151472
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS84PH6327XTSA2, SOT23, набір 80 шт.В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS84PH6327XTSA2 — це польовий транзистор у корпусі PG-SOT23. Тип монтажу: поверхневий. У комплекті 80 одиниць.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: PG-SOT23
- Максимальна потужність розсіювання: 0,36 Вт
- Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані: 8000 мОм
- Технологія: SIPMOS™
- Кількість у комплекті: 80 шт.
Технічні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 0,36 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 8000 мОм. Транзистор виготовлений за технологією SIPMOS™.
Комплектація
У наборі 80 транзисторів. Корпус: PG-SOT23. Заряд затвора становить 0,37 нКл. Символ TME: BSS84PH6327XTSA2.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.36 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | PG-SOT23 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴