Транзистор ONSEMI BSS84LT1G — це польовий MOSFET у корпусі SOT23. У комплекті поставляється 80 одиниць.
- Тип транзистора: польовий (MOSFET)
- Корпус: SOT23, поверхневий монтаж
- Максимальна потужність розсіювання: 0,225 Вт
- Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані: 10 000 мОм
- Кількість у комплекті: 80 шт.
Технічні параметри
Пристрій має максимальну потужність розсіювання 0,225 Вт та максимально допустиму напругу затвор-витік 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) становить 10 000 мОм. Це поверхневий компонент типу «польовий».
Корпус та монтаж
Транзистор виготовлений у стандартному корпусі SOT23. Тип монтажу — поверхневий (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 060 ₴

