Транзистор P-MOSFET Infineon BSS308PEH6327XTSA1, SOT23, 50 шт.
1 900 ₴
- В наявності
- Код: TM151468
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS308PEH6327XTSA1, SOT23, 50 шт.В наявності
1 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS308PEH6327XTSA1 — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі PG-SOT23. Комплект складається з 50 одиниць, призначених для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Опір у відкритому стані: 80 мОм
- Корпус: PG-SOT23
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга затвор-витік становить 20 В. Потужність розсіювання обмежена 0,5 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 80 мОм.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ P3. Корпус PG-SOT23, тип монтажу — поверхневий.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 80 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | PG-SOT23 |
| Технологія | OptiMOS™ P3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 900 ₴