Транзистор P-MOSFET Infineon BSP613PH6327XTSA1, 1,8 Вт, PG-SOT223 (набір 20 шт.)

P-канальний MOSFET-транзистор Infineon Technologies у корпусі PG-SOT223. Тип монтажу — поверхневий та працює з напругою затвор-витік до 20 В. У комплекті поставляється 20 одиниць.

• Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
• Максимальна потужність розсіювання: 1,8 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 130 мОм
• Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
• Корпус: PG-SOT223, монтаж поверхневий
• Технологія виготовлення: SIPMOS™
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Технічні параметри

Транзистор має максимальну потужність розсіювання 1,8 Вт та опір у відкритому стані (Rds) 130 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Ці характеристики визначають робочі режими компонента в електричних схемах.

Корпус та технологія

Компонент виготовлений за технологією SIPMOS™ та розміщений у корпусі PG-SOT223. Тип монтажу — поверхневий.