
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP373NH6327XTSA1, 100 В, 1,8 А, SOT223 (30 шт.)
2 710 ₴
- В наявності
- Код: TM151462
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSP373NH6327XTSA1. Це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі SOT223, призначений для поверхневого монтажу. У комплекті поставляється 30 одиниць.
- Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 1,8 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 240 мОм
- Корпус: SOT223, монтаж поверхневий
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та струм стоку 1,8 А. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 240 мОм.
Теплові характеристики та корпус
Максимальна потужність розсіювання становить 1,8 Вт. Компонент виконаний у корпусі SOT223 для поверхневого монтажу. Використовується технологія OptiMOS™.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 240 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 710 ₴
