Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon BSP373NH6327XTSA1, 100 В, 1,8 А, SOT223 (30 шт.)

2 710 ₴

  • В наявності
  • Код: TM151462
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP373NH6327XTSA1, 100 В, 1,8 А, SOT223 (30 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP373NH6327XTSA1, 100 В, 1,8 А, SOT223 (30 шт.)В наявності
2 710 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSP373NH6327XTSA1. Це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі SOT223, призначений для поверхневого монтажу. У комплекті поставляється 30 одиниць.

  • Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
  • Максимальна напруга стік-витік: 100 В
  • Максимальний струм стоку: 1,8 А
  • Опір у відкритому стані (Rds): 240 мОм
  • Корпус: SOT223, монтаж поверхневий
  • Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та струм стоку 1,8 А. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 240 мОм.

Теплові характеристики та корпус

Максимальна потужність розсіювання становить 1,8 Вт. Компонент виконаний у корпусі SOT223 для поверхневого монтажу. Використовується технологія OptiMOS™.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання1.8 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік100 В
Максимально допустимий струм стоку1.8 А
Опір у відкритому стані (Rds)240 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусSOT223
ТехнологіяOptiMOS™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 710 ₴