Транзистор P-MOSFET Infineon BSP316PH6327XTSA1, SOT223, набір 30 шт.
2 600 ₴
- В наявності
- Код: TM151461
Транзистор P-MOSFET Infineon BSP316PH6327XTSA1, SOT223, набір 30 шт.В наявності
2 600 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор Infineon BSP316PH6327XTSA1 у корпусі PG-SOT223. Призначений для поверхневого монтажу на друковані плати. У комплекті 30 одиниць.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: PG-SOT223
- Потужність розсіювання: 1,8 Вт
- Опір у відкритому стані: 1800 мОм
- Напруга затвор-витік: 20 В
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Технічні параметри
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 1,8 Вт та опір у відкритому стані (Rds) 1800 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Ці характеристики визначають робочі режими компонента в електричних схемах.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією SIPMOS™ та розміщений у корпусі PG-SOT223.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1800 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 600 ₴